堤 聡明 特許技術者

京都大学 理学部 卒業
京都大学 理学研究科 物理学第二専攻 博士前期(修士)課程 修了
大手半導体メーカーの半導体事業部LSI研究所等にて、27年半に亘り一貫して半導体プロセス開発を担当。

国内半導体製造メーカー10社出資により設立された株式会社半導体先端テクノロジーズ(Selete)に出向し、大口径300mmシリコンウェハー製造装置の性能評価と開発支援を行う。装置評価手法を新たに開発し、分科会を開催し出資会社に評価結果を報告、装置製造メーカーにフィードバックし性能向上を図る。化学帰巣性長方によるタングステン膜形成装置、スパッタ法によるアルミニウム及び窒化チタン膜形成装置、シリコンウェハー異物検査装置等。

資格

高圧ガス製造保安責任者(特別乙化)
TOEIC730点

略歴

  京都大学 理学部 卒業
  京都大学大学院 理学研究科 博士前期課程 物理学第二専攻 修了
平成8年9月~
平成12年3月
株式会社半導体先端テクノロジーズに出向し、300mmシリコンウェハー製造装置の性能評価と開発支援に携わる。同メーカー復帰後は150、90nm、28-65nm世代対応の自己整合コバルトシリサイドプロセス等の研究開発、ICパッケージ応力のアナログ回路性能への影響評価と回路制度保証等に従事する。
平成26年5月~ 当事務所に特許技術者として勤務。主に、書類作成の補助、調査、図面作成、SDIサービス、パテントマップ作成サービスを担当

技術的専門分野

  1. 半導体プロセス要素技術
  2. アナログ回路

その他

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